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2次元半導体の直接成長ウエハー上でのトランジスタ基本動作を初実証~転写プロセスに頼らない集積回路用プラットフォームへ道~
ニュース概要(出典記事の要点)
東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻の長汐 晃輔 教授らの研究グループは、物質・材料研究機構(NIMS)および名古屋大学との共同研究により、有機金属化学気相成長法(MOCVD法)でサファイア基板上に成長した単結晶MoS2(二硫化モリブデン)において、本来のトランジスタ…
※ 上記は出典記事の要約です。本サイト独自の分析・背景解説は下記をご覧ください。
解説
普段、皆さんが使っているスマートフォンやパソコン。その中には、たくさんの小さな「スイッチ」のようなものが詰まっています。これが「トランジスタ」と呼ばれるもので、電気信号をオン・オフすることで、複雑な計算や情報処理を可能にしています。このトランジスタを作る上で、近年注目されているのが「2次元半導体」という、原子数個分の薄さしかない特別な材料です。
この2次元半導体、すごーく薄いので、従来の半導体を作るのとは全く違う技術が必要になります。これまで、この2次元半導体をトランジスタに仕立てるには、一度別の場所に作った材料を、別の基板(土台)に「転写」するという手間のかかる方法が一般的でした。例えるなら、クッキー生地を一度作って、それを別の皿に移してから焼くようなイメージです。
今回、東京大学の研究グループは、なんと、この「転写」というステップを省くことに成功しました。しかも、サファイアという、もともと半導体を作るのに使われる土台の上に、直接、2次元半導体(MoS2:二硫化モリブデンという物質)を成長させる方法で、トランジスタがちゃんと電気信号のオン・オフをする、という基本動作を初めて実現したのです!これは、クッキー生地を最初からお皿の上に直接置いて焼くようなイメージ。工程がぐっとシンプルになりますね。
では、なぜこれまでうまくいかなかったのでしょうか?研究チームによると、サファイア基板の上に直接成長させたMoS2では、トランジスタの性能が落ちてしまう原因があったそうです。その原因とは、材料の表面に残ってしまっていた「硫酸基」という、ちょっとした「汚れ」のようなもの。これが電気の流れを邪魔していたのです。今回の研究では、この硫酸基を取り除く技術も確立し、本来の性能を引き出すことに成功しました。
この成果は、将来の集積回路、つまり、たくさんのトランジスタを一つにまとめたチップを作る上で、とても大きな一歩となります。転写プロセスが不要になることで、より効率的に、そして低コストで高性能な半導体を作れるようになるかもしれません。スマホやパソコンはもちろん、電気自動車やAIなど、さまざまな分野で使われる電子機器の進化につながる可能性を秘めています。
今後の予測
今回の研究で、2次元半導体を基板上で直接成長させ、トランジスタとしての基本動作を確認できたことは、集積回路開発の新たな可能性を示唆しています。今後、この技術がさらに発展すれば、従来のシリコン半導体に代わる、あるいはそれを補完する次世代の半導体プラットフォームが確立されるかもしれません。
考えられるシナリオとしては、まず、今回成功したMOCVD法による直接成長技術が、より大規模なウエハー(半導体製造の土台)に適用され、工業的な生産ラインに乗るための研究が進むでしょう。その過程で、さらなる性能向上や、歩留まり(不良品が出ない割合)の改善が課題となります。
また、今回使われたMoS2以外の2次元半導体材料についても、同様の直接成長技術が開発され、それぞれの特性を活かした多様な集積回路が生まれる可能性もあります。例えば、より高速なスイッチングが可能な材料や、特定のセンサー機能を持つ材料などです。
一方で、実用化にはまだ時間がかかるという見方もできます。シリコン半導体は長年の技術蓄積があり、製造コストや信頼性の面で非常に優れています。2次元半導体がこれに追いつき、追い越すためには、製造プロセスの確立だけでなく、それを搭載するシステム全体の開発や、新たな設計手法の確立も必要となるでしょう。しかし、今回の成果は、そのための確かな一歩であり、今後の技術革新に大いに期待が持てます。
ニュースタイムライン
2026年6月5日
直径1ナノメートルの半導体ナノチューブを合成~原子レベルで制御された次世代トランジスタのチャネル材料~JST プレスリリース
2026年6月17日
エレクトロニクス: シリコントランジスターのモノリシック三次元集積化(Nature)Nature 日本語
2026年6月17日
生物工学: 化学的および生物学的複合プラットフォームによるバイオマスの高付加価値化(Nature)Nature 日本語
参考引用
“転写プロセスに頼らない集積回路用プラットフォームへ道
― JST プレスリリース
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